AOD409

Symbol Micros: TAOD409
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Max. Drainstrom: 26A
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,5626 0,3554 0,2801 0,2519 0,2448
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Max. Drainstrom: 26A
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD