AOD409
Symbol Micros:
TAOD409
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Auf Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5598 | 0,3537 | 0,2787 | 0,2506 | 0,2436 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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Auf Lager
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4404 | 0,2670 | 0,2047 | 0,1846 | 0,1757 |
Standard-Verpackung: 200
Menge (Vielfache 1)
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