AOD409

Symbol Micros: TAOD409
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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