RCD30P03 TO-252 RealChip

Symbol Micros: TAOD417 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 54mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCD30P03 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2744 0,1463 0,1137 0,1028 0,0995
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 54mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD