AOD603A TO252/4

Symbol Micros: TAOD603a c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252-4
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 27W
Gehäuse: TO252-4L
Hersteller: IMPORT
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: AOD603A RoHS Gehäuse: TO252/5-2 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4456 0,2916 0,2093 0,1829 0,1715
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 27W
Gehäuse: TO252-4L
Hersteller: IMPORT
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD