AOD603A TO252/4
Symbol Micros:
TAOD603a c
Gehäuse: TO252-4
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 27W |
| Gehäuse: | TO252-4L |
| Hersteller: | IMPORT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 27W |
| Gehäuse: | TO252-4L |
| Hersteller: | IMPORT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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