AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
27805 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2976 0,1578 0,1223 0,1129 0,1082
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF-3 Pbf B22D Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2976 0,1578 0,1223 0,1129 0,1082
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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