BC817-16 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC81716 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16LT1G; BC817-16LT3G; BC817-16 RFG; BC817-16-7-F; BC817-16-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC817-16 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0559 0,0209 0,0112 0,0084 0,0077
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN