BC817-40 Diodes
Symbol Micros:
TBC81740 DIO
113556
TBC81740 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
NPN 45V 800mA 310mW 100MHz NPN 45V 800mA 310mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: | 310mW |
Hersteller: | DIODES |
Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC817-40-7-F RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8570 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1044 | 0,0414 | 0,0207 | 0,0165 | 0,0161 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC817-40-7-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
5346000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0161 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC817-40-7-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
969000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0161 |
Verlustleistung: | 310mW |
Hersteller: | DIODES |
Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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