BC847CE6327 INF

Symbol Micros: TBC847c inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1222 0,0559 0,0305 0,0228 0,0203
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6433HTMA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0215
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0253
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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