BC847CLT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847c ons
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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