BC848B HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC848b HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN-Transistor; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC848B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0371 0,0135 0,0071 0,0053 0,0049
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole