BC856B

Symbol Micros: TBC856b c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-10
Anzahl Stück: 30000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP