BC856B
Symbol Micros:
TBC856b c
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-20
Anzahl Stück: 3000
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-10
Anzahl Stück: 30000
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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