BC856B HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC856b HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP-Transistor; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC856B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0427 0,0160 0,0086 0,0064 0,0059
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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