BC857C LMSEMI

Symbol Micros: TBC857c LMS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP-Transistor; 800; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LMSEMI Hersteller-Teilenummer: BC857C RoHS 3G Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0372 0,0135 0,0071 0,0054 0,0049
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: LMSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP