BC859C SHIKUES

Symbol Micros: TBC859c SHK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP-Transistor; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: SHIKUES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: BC859C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0623 0,0240 0,0117 0,0093 0,0089
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: SHIKUES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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