BCP56 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBCP56 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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NPN-Transistor; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BCP56 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2014 0,0805 0,0470 0,0390 0,0366
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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