BCV26
Symbol Micros:
TBCV26 NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55°C~150°C; BCV26,215; BCV26.215; BCV26,235; BCV26.235;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BCV26,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3589 | 0,1972 | 0,1551 | 0,1436 | 0,1377 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BCV26,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1377 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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