BCV26

Symbol Micros: TBCV26 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55°C~150°C; BCV26,215; BCV26.215; BCV26,235; BCV26.235;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV26,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3585 0,1969 0,1549 0,1434 0,1375
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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