BCV27 JSMICRO

Symbol Micros: TBCV27 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN Darlington-Transistor; 20000; 350mW; 30V; 500mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCV27,215; BCV27E6327HTSA1; BCV27E6395HTMA1; BCV27TA; BCV27TC; BCV27-TP;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1316 0,0624 0,0351 0,0266 0,0239
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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