BCV46,215

Symbol Micros: TBCV46

Gehäuse: SOT23

Transistor PNP; 10000; 250mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C~150°C; Äquivalente: BCV46,215; BCV46.215;

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV46,215 RoHS FE. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

410 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2424	0,1231	0,0741	0,0587	0,0541

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP