BCX52 JGSEMI

Symbol Micros: TBCX52 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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PNP-Transistor; 250; 1,3W, 60V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX52,115; BCX52E6327HTSA1; BCX52H6327XTSA1; BCX52TA; BCX52-TP;
Parameter
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCX52 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2070 0,0828 0,0480 0,0402 0,0376
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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