BD139-16

Symbol Micros: TBD13916
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
2490 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2824 0,1816 0,1280 0,1089 0,1031
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-16 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
29550 stk.
Anzahl Stück 1300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1031
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-16 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
74500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1031
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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