BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM

Gehäuse: TO126

NPN Darlington-Transistor; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Gehäuse:	TO126
Hersteller:	JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor:	750
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

65 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2803	0,1492	0,1157	0,1069	0,1023

Verlustleistung:	40W
Gehäuse:	TO126
Hersteller:	JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor:	750
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	Darlington NPN

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3099	0,1987	0,1401	0,1192	0,1128

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3099	0,1987	0,1401	0,1192	0,1128

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3099	0,1987	0,1401	0,1192	0,1128

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5286	0,3213	0,2461	0,2224	0,2117