BD912 JSMICRO

Symbol Micros: TBD912 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
PNP-Transistor; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6204 0,3933 0,3090 0,2809 0,2692
Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP