BDX33C

Symbol Micros: TBDX33c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Darl.NPN 10A 100V 80W 20MHz Darl.NPN 10A 100V 80W 20MHz
Parameter
Verlustleistung: 70W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BDX33C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
752 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5652 0,3574 0,2826 0,2569 0,2453
Standard-Verpackung:
50/1000
Verlustleistung: 70W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN