BFG410W

Symbol Micros: TBFG410w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT343
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NPN 4.5V 12mA 54mW NPN 4.5V 12mA 54mW

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Parameter
Verlustleistung: 54mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 22GHz
Gehäuse: SOT343
Max. Kollektor-Strom [A]: 12mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 4,5V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFG410W RoHS Gehäuse: SOT343 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2872 0,1833 0,1284 0,1116 0,1044
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 54mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 22GHz
Gehäuse: SOT343
Max. Kollektor-Strom [A]: 12mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 4,5V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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