BFG410W

Symbol Micros: TBFG410w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT343
NPN 4.5V 12mA 54mW NPN 4.5V 12mA 54mW
Parameter
Verlustleistung: 54mW
Grenzfrequenz: 22GHz
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT343
Max. Kollektor-Strom [A]: 12mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 4,5V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFG410W RoHS Gehäuse: SOT343 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2905 0,1854 0,1299 0,1129 0,1056
Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 54mW
Grenzfrequenz: 22GHz
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT343
Max. Kollektor-Strom [A]: 12mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 4,5V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN