BSC123N08NS3 G

Symbol Micros: TBSC123n08ns3

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC123N08NS3GATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	24mOhm
Max. Drainstrom:	55A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	24mOhm
Max. Drainstrom:	55A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD