BSP250
Symbol Micros:
TBSP250
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6164 | 0,3906 | 0,3082 | 0,2800 | 0,2682 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSP250,135
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2682 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2682 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2682 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-09-20
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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