BSP250

Symbol Micros: TBSP250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
1025 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9019 0,5708 0,4510 0,4110 0,3922
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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