BSP372

Name: TBSP372 TBSP372
Brand: Infineon
SKU: TBSP372
Price: 0.2331 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP372

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372N H6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5355	0,3370	0,2793	0,2493	0,2331

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

7000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2660

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

875 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3156

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD