BSP372

Name: TBSP372 TBSP372
Brand: Infineon
SKU: TBSP372
Price: 0.2596 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP372

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372N H6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5965	0,3743	0,3111	0,2784	0,2596

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2774

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

501000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2596

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP372NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

224000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2596

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD