BSS123-7-F DIODES

Symbol Micros: TBSS123-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123-7-F RoHS .K23 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1249 0,0571 0,0312 0,0233 0,0208
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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