BSS123 Fairchild

Symbol Micros: TBSS123 FAI
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1202 0,0553 0,0300 0,0225 0,0200
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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