BSS123 NXP

Symbol Micros: TBSS123 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
13030 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,3031 0,1672 0,1110 0,0926 0,0863
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
50400 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0863
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3996000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0863
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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