BSS123 SOT23 RealChip

Symbol Micros: TBSS123 REA
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Gehäuse: SOT23
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2950 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0647 0,0250 0,0122 0,0097 0,0092
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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