BSS123 SHIKUES
Symbol Micros:
TBSS123 SHK
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | SHIKUES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | SHIKUES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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