BSS138WH6327XTSA1 Infineon

Symbol Micros: TBSS138w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1914 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2066 0,0981 0,0552 0,0420 0,0376
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6433XTMA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0376
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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