BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSS138w
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 280mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1934 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2058 | 0,0978 | 0,0550 | 0,0419 | 0,0374 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
60000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0374 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
1428000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0374 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 280mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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