BUK7M12-60EX
Symbol Micros:
TBUK7m12-60ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
Max. Drainstrom: | 53A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
Max. Drainstrom: | 53A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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