BUK7M12-60EX

Symbol Micros: TBUK7m12-60ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M12-60EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8415 1,4525 1,2568 1,1763 1,1509
Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 53A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD