DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 700 mOhm; 630mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Max. Drainstrom: 630mA
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1012T-7 RoHS Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
47944 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1526 0,0726 0,0407 0,0310 0,0277
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Max. Drainstrom: 630mA
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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