FDB33N25TM

Name: TFDB33N25TM TFDB33N25TM
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDB33N25TM
Price: 1.5628 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDB33N25TM

Gehäuse: D2PAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 94mOhm; 33A; 235 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	94mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM RoHS Gehäuse: D2PAK t/r

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2841	0,8991	0,7653	0,6996	0,6761

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

9600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8862

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8993

Widerstand im offenen Kanal:	94mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD