FDB33N25TM

Symbol Micros: TFDB33N25TM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 94mOhm; 33A; 235 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 235W
Max. Drainstrom: 33A
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDB33N25TM RoHS Gehäuse: D2PAK t/r  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2875 0,9015 0,7673 0,7014 0,6779
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 235W
Max. Drainstrom: 33A
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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