FDC6312P

Symbol Micros: TFDC6312P

Gehäuse: TSOT23-6

2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 225 mOhm; 2,3A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	960mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6312P Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2433

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6312P Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2611

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6312P Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2472

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	960mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD