FDC6312P
Symbol Micros:
TFDC6312P
Gehäuse: TSOT23-6
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 225 mOhm; 2,3A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 225mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC6312P
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2868 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC6312P
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2682 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 225mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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