FDD8896 HXY MOSFET

Symbol Micros: TFDD8896 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FDD8896 Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: FDD8896 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3796 0,2499 0,1794 0,1537 0,1462
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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