FDN304P SLKOR

Symbol Micros: TFDN304p SLK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 0,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FDN304P Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: FDN304P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1397 0,0640 0,0348 0,0261 0,0233
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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