FDN338P JSMICRO

Symbol Micros: TFDN338p JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: FDN338P Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 260+ 1300+
Nettopreis (EUR) 0,1461 0,0688 0,0381 0,0312 0,0265
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Standard-Verpackung:
260
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 740+ 3700+
Nettopreis (EUR) 0,1461 0,0582 0,0358 0,0286 0,0265
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Standard-Verpackung:
740
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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