FDV303N

Name: TFDV303n TFDV303n
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDV303n
Price: 0.0494 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDV303n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	680mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

6124 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2222	0,1126	0,0682	0,0541	0,0494

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23

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513000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0494

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23

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156000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0494

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

2877000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0494

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	680mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1922	0,0770	0,0446	0,0373	0,0350