FDV304P

Symbol Micros: TFDV304p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; FDV 304 P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 460mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV304P RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6105 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1874 0,0889 0,0502 0,0380 0,0341
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV304P Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
346 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0464
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV304P Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
9900000 stk.
Anzahl Stück 21000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0341
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 460mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD