FGH40N60SMD

Symbol Micros: TFGH40N60smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
Parameter
Gate-Ladung: 119nC
Maximale Verlustleistung: 349W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SMD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
47482 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,3207
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SMD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
210 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,4435
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-25
Anzahl Stück: 30
Gate-Ladung: 119nC
Maximale Verlustleistung: 349W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT