FQA32N20C

Symbol Micros: TFQA32n20c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 82mOhm; 32A; 204W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 204W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQA32N20C RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3380 0,9361 0,7707 0,7163 0,7045
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 204W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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