FQB27P06TM

Symbol Micros: TFQB27p06tm
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB27P06TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,8226
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20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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