FQP33N10

Symbol Micros: TFQP33n10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP33N10 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9694 1,5708 1,3444 1,2076 1,1580
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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