FQP33N10

Symbol Micros: TFQP33n10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP33N10 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9272 1,5371 1,3155 1,1817 1,1332
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole