IKW30N60H3
Symbol Micros:
TIKW30n60h3
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW30N60H3FKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 165nC |
| Maximale Verlustleistung: | 187W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 165nC |
| Maximale Verlustleistung: | 187W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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