IPB042N10N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB042n10n3g
Gehäuse: TO263/3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,4 mOhm; 137A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 137A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 137A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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