IPB042N10N3G Infineon

Symbol Micros: TIPB042n10n3g

Gehäuse: TO263/3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,4 mOhm; 137A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,4mOhm
Max. Drainstrom:	137A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO263/3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB042N10N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3

Externes Lager:

26000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6594

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB042N10N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3

Externes Lager:

32000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6943

Widerstand im offenen Kanal:	7,4mOhm
Max. Drainstrom:	137A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO263/3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD