IPD040N03LG Infineon

Symbol Micros: TIPD040n03lg

Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

N-MOSFET 30V 90A 79W 4m&ohm;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,9mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD040N03LGATMA1 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2518

Widerstand im offenen Kanal:	5,9mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD