IRF1010E JSMICRO

Symbol Micros: TIRF1010 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF1010EPBF; SP001569818;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF1010E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8639 0,5470 0,4320 0,3944 0,3756
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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