IRF1010Z

Symbol Micros: TIRF1010z

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZPBF RoHS Gehäuse: TO220

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30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5846	1,2090	1,0001	0,8756	0,8334

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT