IRF1010Z

Symbol Micros: TIRF1010z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZPBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5841 1,2086 0,9997 0,8753 0,8331
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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