IRF1010Z
Symbol Micros:
TIRF1010z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 94A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,5841 | 1,2086 | 0,9997 | 0,8753 | 0,8331 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 94A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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